підготовка ґрунту
Вирощування гербери з насіння - справа клопітка, але нескладна. Для посіву насіння краще вибрати широкі дрібні ємності, щоб потім зручніше було пікірувати сіянці в окремі горщики. На дно ємності (зазвичай в якості такої використовують невеликий ящик) слід засипати дренаж, а поверх нього - грунт, що складається на третину з перегною, на третину - з листової землі і на третину - з піску. Гербери можуть прекрасно розвиватися і в разі грунту іншого складу - головною умовою тут є кислотність. Вона повинна складати від 5.5 до 6.5.
посів насіння
Сіють насіння гербери в січні-травні. Якщо ці квіти вирощуються в теплицях, то посів насіння можливий круглий рік. Для озеленення підвіконь гербери теж можна періодично підсівати - тоді квіти будуть радувати ваше око постійно.
Перед посівом насіння викладений в скриньку або миску грунт рекомендується промити слабким розчином марганцівки. Насіння гербер в нього висівають за схемою 2х2 сантиметри. Зверху їх присипають тонким шаром торфу і злегка притискають долонями.
Приблизно через тиждень після посіву насіння зійде. Після цього ящик переносять в добре освітлене місце, але не занадто сонячне - потрапляння на сходи прямих сонячних променів слід уникати. Якщо в приміщенні недостатньо світла - можна досвечивать маленькі гербери за допомогою люмінесцентних ламп, доводячи тривалість світлового для до 11-12 годин.
пікіровка
Через місяць сіянці розвинуть першу пару справжніх листків - після цього їх распікіруйте за схемою 10х10 сантиметрів. При пікіровки рекомендується не дуже сильно заглиблювати кореневу шийку.
Оптимальні умови для росту гербер
Температура повітря в приміщенні, де ростуть маленькі гербери, не повинна перевищувати 20оС. При цьому потрібно стежити за вологістю повітря і вологістю субстрату. Полив розсади проводять знизу - через піддон. Зайвого пересихання земляного кома допускати не рекомендується. Для поливу рослин використовується відстояна вода кімнатної температури.
Основними причинами поганого росту і загибелі сіянців є полив холодною водою, порушення світлового і температурного режимів, загнивання стебла при занадто глибокому заглибленні кореневої шийки і перелив.
